Vores Teknologi

Ved hjælp af ikke-destruktiv skæreteknologi skæres waferen i to eller flere stykker jævnt for at have en lavere nominel driftstemperatur (NOCT), reducere skyggeskyggetab og forbedre konverteringseffektiviteten.

En modulteknologi, der genererer elektricitet fra både for- og bagsiden. Når sollyset skinner på bifacial-modulet, vil noget af lyset blive reflekteret af det omgivende miljø til bagsiden af modulet, og denne del af lyset kan absorberes af cellen for at generere elektricitet.

Interdigitated Back Contact (IBC) er en teknologi, der bruger N-type siliciumwafere dækket med en termisk oxidfilm på for- og bagsiden til at omdanne energi til bagsidekontakt. Der er ingen skygge på forsiden af cellen, så den kan absorbere den maksimale mængde sollys.

Tunneloxidpassiveret kontaktcelle, hvis cellestruktur kan realisere en-dimensionel langsgående transport af bærere, samtidig med at sammensætningen af metaller og siliciumsubstrater reduceres, hvilket resulterer i stærkere integreret strømproduktion.

Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer battery, whose P-N junction is composed of two different semiconductor materials. It has the advantages of generating electricity from both front and back sides, low temperature manufacturing process, high open circuit voltage, and good temperature characteristics.

Shingled technology generally cuts silicon wafers into more than 5 pieces and uses flexible conductive adhesive for low-temperature bonding to achieve seamless connection between cells, which substantially increases the output power of the module.